鹵化錫鈣鈦礦是實現無鉛鈣鈦礦光電的唯一現實途徑。然而,盡管取得了重大進展,但是鈣鈦礦自p型摻雜和Sn(II)氧化成Sn(IV)仍然限制了太陽能電池的器件效率和穩定性。通過使用新的密度泛函理論模擬,意大利佩魯賈大學Filippo De Angelis, 意大利CNR-SCITEC的Daniele Meggiolaro等人揭示了原始模型和缺陷模型中Sn(II)→Sn(IV)氧化的機理特征和能量學。
出乎意料的是,錫的氧化被預測在體相MASnI3中是非常不利的,而在未鈍化的鈣鈦礦表面上則受到能量的有利。結果,大量的Sn(IV)自發轉變為Sn(II),向價帶釋放兩個空穴并p摻雜鈣鈦礦,而表面Sn(IV)充當深電子陷阱,并有助于非輻射載流子復合。發現化學計量和價帶表面釘扎在很大程度上影響Sn(IV)的形成,指出表面鈍化是獲得有效和穩定的鹵化錫太陽能電池的主要策略。
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